MOSFET-транзістары – SivF160N100T
Усе вырабы на 100% пратэставаны UIS і адпавядаюць патрабаванням RoHS. Выраблена з выкарыстаннем тэхналогіі сілавых транзістараў з траншэйнай структурай.
IGBT-модулі – SivF3L150A65E2H1D
У модулі Easy2B выкарыстоўваецца высакахуткасны IGBT-транзістар з траншэйнай засаўкай і палявой высновай, а таксама звышхуткааднаўляльны дыёд.
IGBT-транзістары -Siv006E065F52
Siv006E065F52 - гэта IGBT-транзістар з траншэйнай засаўкай і хуткадзейным дыёдам, які забяспечвае звышнізкія страты пры пераключэнні і высокую энергаэфектыўнасць, прыдатны для камутацыйных прыкладанняў, такіх як прывады рухавікоў і бытавая тэхніка.
Sivnon
Xinweineng Semiconductor з'яўляецца адным з вядучых пастаўшчыкоў рашэнняў на базе IGBT-тэхналогій, у тым ліку крышталі, дыскрэтныя прыборы і сілавыя модулі. Кампанія займаецца распрацоўкай IGBT-чыпаў, транзістараў і модуляў, а таксама праектаваннем сучасных тэхналогій карпусавання. Штаб-кватэра размешчана ў інавацыйным цэнтры Лунхуа (Шэньчжэнь), а даследчыя і выпрабавальныя цэнтры знаходзяцца ў Ганконгу і Шэньчжэне. Асноўныя спецыялісты кампаніі маюць больш за 20 гадоў досведу працы ў паўправадніковай галіны і валодаюць глыбокім разуменнем тэндэнцый развіцця тэхналогій і рынку.
