Убудаваная памяць UFS
BIWIN UFS – мікрасхемы флэш-памяці наступнага пакалення для ўбудавальных сістэм. У параўнанні з найноўшым стандартам eMMC 5.1 хуткасць UFS вышэй у тры разы. Акрамя таго, дадатковыя каналы кіравання UFS 2.1 эфектыўна забяспечваюць бяспечную перадачу дадзеных і пазбаўляюць ад неабходнасці непрадукцыйнага чакання пры аперацыях чытання і запісы, што з'яўляецца ключавым фактарам дасягнення больш высокай хуткасці UFS 2.1.
Убудаваная памяць uMCP
BIWIN уяўляе інтэграваную мікрасхему памяці uMCP5, якая аб'ядноўвае UFS 3.1 і LPDDR5X, для смартфонаў і іншых інтэлектуальных тэрміналаў. Хуткасць паслядоўнага чытання UFS 3.1 дасягае 2100 Мбайт/з, паслядоўнага запісу – 1800 Мбайт/з; частата LPDDR5X дасягае 6400 Мбіт/з; аб'ём памяці - да 256 Гбайт + 8 Гбайт; памер мікрасхемы складае ўсяго 11,5×13,0×1,0 мм.
Убудаваная памяць ePOP
BIWIN ePOP аб'ядноўвае ў адным корпусе MMC і мабільную памяць LPDDR з рознымі варыянтамі аб'ёму. Гэтыя вырабы шырока прымяняюцца ў мабільных прыладах.
Убудаваная памяць eMMC
BIWIN eMMC дзякуючы лаканічнай і перадавой канструкцыі ў кароткія тэрміны выйшаў на рынак. У ім выкарыстоўваюцца высокапрадукцыйны кантролер і надзейная NAND флэш, што дазваляе не толькі павысіць эфектыўнасць перадачы даных, але і больш стабільна выконваць большую колькасць шматзадачных аперацый з высокай хуткасцю, забяспечваючы плыўнасць пры праглядзе вэб-старонак, загрузцы прыкладанняў, прайграванні відэа высокай выразнасці і запуску патрабавальных гульняў.
Убудаваная памяць eMCP
Па меры павелічэння аб'ёму кода аперацыйных сістэм, якія выкарыстоўваюцца ў смартфонах, і асабліва ў сувязі з шырокім распаўсюджваннем аперацыйнай сістэмы Android, смартфоны прад'яўляюць усё больш высокія патрабаванні да аб'ёму памяці.
Памяць LPDDR5
LPDDR5 падтрымлівае рэжым з мноствам банкаўскіх груп, хуткасць перадачы даных павялічана з 4266 Мбіт/с да 6400 Мбіт/с. Дынамічная рэгулёўка некалькіх груп напружанняў дазваляе знізіць энергаспажыванне на 30%.
Памяць LPDDR4
LPDDR (Low Power Double Data Rate SDRAM) - гэта тып памяці DDR, які адрозніваецца нізкім энергаспажываннем. Рашэнні BIWIN Low Power DDR ахопліваюць шырокі спектр аператыўнай памяці: ад высокапрадукцыйных да мадэляў з аптымальным суадносінамі кошту і прадукцыйнасці.
BIWIN
BIWIN Storage Technology Co., Ltd. (далей - BIWIN) заснавана ў 2010 годзе. Кампанія спецыялізуецца на даследаваннях і распрацоўцы, карпусаванні і тэсціраванні, вытворчасці і продажы паўправадніковых запамінальных прылад. Асноўнай прадукцыяй з'яўляюцца паўправадніковыя запамінальныя прылады, асноўнымі паслугамі - перадавыя паслугі па карпусаванні і тэсціраванню. Паўправадніковыя запамінальныя прылады па абласцях прымянення падпадзяляюцца на ўбудавальную памяць, памяць для ПК, памяць прамысловага і аўтамабільнага класа, памяць карпаратыўнага ўзроўню і мабільную памяць. Прытрымліваючыся місіі «Памяць надзяляе інтэлектам усё», кампанія імкнецца стаць вядучым сусветным пастаўшчыком рашэнняў у галіне памяці і захоўвання дадзеных, а таксама перадавых паслуг па карпусаванні і тэсціраванню. BIWIN з'яўляецца лістынгавай кампаніяй на рынку STAR, уваходзіць у індэкс STAR 50 і атрымала стратэгічныя інвестыцыі ад другога этапа Дзяржаўнага фонду развіцця інтэгральных схем КНР, Кітайскага інтэрнэт-інвестыцыйнага фонду, венчурнага фонду Кітайскай акадэміі навук і інш. пашырыла сваю прысутнасць у такіх ключавых звёнах ланцужкі, як распрацоўка рашэнняў для захоўвання дадзеных, праектаванне кантролераў памяці, карпусаванне і тэставанне памяці, перадавое карпіраванне і тэставанне на ўзроўні пласціны, а таксама вытворчасць тэставага абсталявання для памяці. Прадукцыя кампаніі ў выглядзе мікрасхем памяці шырока прымяняецца ў мабільных інтэлектуальных тэрміналах, ПК, галіновых тэрміналах, цэнтрах апрацоўкі дадзеных, інтэлектуальных аўтамабілях, мабільных назапашвальніках дадзеных і іншых сферах інфармацыйных тэхналогій.
